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鈣鈦礦鍍膜設(shè)備

簡要描述:鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新日期:2024-08-06
  • 訪  問  量:174
鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等,可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作,也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作,廣泛應(yīng)用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域。
 

 

  功能特點
  • 樣品位于真空室上方,蒸發(fā)源位于真空室下方,向上蒸發(fā)鍍膜,且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。
  • 設(shè)有烘烤加熱功能,可在鍍膜過程中加熱樣品,最高烘烤加熱溫度為180℃。
  • 設(shè)有斷水、斷電連鎖保護報警裝置及防誤操作保護報警裝置。
  技術(shù)參數(shù)
鍍膜室 不銹鋼材料,采用方形前后開門結(jié)構(gòu),內(nèi)帶有防污板,腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm
真空排氣系統(tǒng) 采用分子泵+機械泵系統(tǒng)
真空度 鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa
系統(tǒng)漏率 ≤1×10-7Pa
蒸發(fā)源 安裝在真空室的下底上;有機蒸發(fā)源4個、容積5ml,2臺蒸發(fā)電源,可測溫、控溫,加熱溫度400℃,功率0.5KW;無機蒸發(fā)源4套、容積5ml,2臺蒸發(fā)電源,加熱電流300A,功率3.2KW;蒸發(fā)源擋板采用自動磁力控制方式控制其開啟
樣品架 安裝在真空室的上蓋上,可放置Ø120mm的樣品、載玻片,旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm
加熱溫度 RT-180℃,測溫、控溫
膜厚控制儀 石英晶振膜厚控制儀,膜厚測量范圍0-999999Å
 
 

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